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Sharp515nm30mW

外形尺(chi)寸

Φ5.6*10mm

峰值波長

515±7nm

輸出功(gong)率

30mW

工作電壓

DC 6.5~7.5V

工(gong)作(zuo)電流(liu)

85mA~105mA

工作(zuo)溫度

-10至60℃

儲存溫度

-40至85℃

封裝類型

TO56

Sharp520nm80mW

外形尺寸

Φ5.6*10mm

峰值波長

520±7nm

輸出功率

85mW

工作電壓

DC 6.5~7.5V

工作電流

180mA~230mA

工作溫(wen)度

-10至60℃

儲存(cun)溫度(du)

-40至85℃

封裝類(lei)型(xing)

TO56

Osram520nm50mW

外(wai)形尺寸

Φ5.6*10mm

峰值波長

520±10nm

輸出功率

50mW

工(gong)作電壓

DC 7.0~8.0V

工作電流

150mA~160mA

工作(zuo)溫度

-20至60℃

儲(chu)存溫度

-40至85℃

封裝(zhuang)類型

TO56

Osram520nm10mW

外形尺(chi)寸(cun)

Φ5.6*10mm

峰值(zhi)波(bo)長

520±10nm

輸出功率

10mW

工作電壓(ya)

DC 6.0~7.0V

工作電(dian)流

60mA~100mA

工作溫度

-20至60℃

儲(chu)存(cun)溫度

-40至85℃

封裝類型

TO56

外形尺寸

4.55*7.0*1.2mm

峰值波長(chang)

635±5nm

輸出(chu)功率

30mW

工作電壓

DC 2.4~2.7V

工作電(dian)流

43mA~50mA

工作溫(wen)度

-10至(zhi)40℃

儲(chu)存溫度

-40至85℃

封裝類型

1.2T

QSI650nm5mWLD

外形尺寸

Φ5.6*10mm

峰(feng)值波長

655±5nm

輸出(chu)功(gong)率

5mW

工作電壓

DC 2.2~2.6V

工作電流

22mA~35mA

工作溫度

-10至50℃

儲存溫度

-40至(zhi)85℃

封裝類型

TO56

Sharp660nm100mW

外形尺寸

5.4*8.4*1.8mm

峰值波長(chang)

660±5nm

輸出功率

100mW

工作電壓

DC 2.3~3.2V

工作電流

120mA~165mA

工作溫(wen)度

-10至70℃

儲存溫(wen)度

-40至85℃

封裝類型

1.8T

Panasonic660nm100mW

外形尺寸

5.15*7.8*1.8mm

峰值波長

660±5nm

輸(shu)出功率

100mW

工(gong)作(zuo)電壓

DC 2.0~3.0V

工作電流

115mA~170mA

工作溫度

-10至80℃

儲存(cun)溫度

-40至(zhi)85℃

封(feng)裝(zhuang)類(lei)型

1.8T

QSI808nm300mWLD

外形尺寸

Φ5.6*10mm

峰值波長(chang)

808±6nm

輸出功率

300mW

工作電壓(ya)

DC 1.9~2.5V

工作電流(liu)

330mA~360mA

工(gong)作溫(wen)度

-10至40℃

儲(chu)存溫(wen)度

-40至85℃

封裝類型

TO56